三溴化硼在半导体中应用
在碳基集成电路制造领域，石墨烯基器件中采用原子层沉积方法生长氮化硼，作为高k栅氧介质。氮化硼基于六边形层状结构，具有优异的物理性质和极高的化学稳定性，六方晶型具有宽带隙(5.5 - 6.0 eV)适用于电子器件的介电层。三溴化硼是一种蒸气压较高的前驱体(25℃，70Torr)，很容易于氨反应得到氮化硼。在原子层沉积过程中，三溴化硼与基底羟基发生反应，饱和吸附后进行吹扫，然后通入NH3反应，完成后再进行吹扫，往复循环得到氮化硼薄膜，研究表明当沉积温度为750℃时，可降低氮化硼薄膜对空气和水份的敏感性。(Thin Solid Films, 2022, 402, 167 - 171)
半导体器件制备工艺中，通常需要在硅衬底中掺杂P型或者N型杂质来形成PN结，扩散和离子注入是半导体掺杂的两种主要方式。在太阳能电池工业中，长采用扩散的方式向N型晶体掺杂P型杂质，而硼的价格低廉且扩散速度快，常作为掺杂体。行业内大多数都是利用液态三溴化硼作为前驱体，在硅衬底表面沉积三氧化二硼薄膜，然后加热硅衬底，使之与三氧化二硼发生反应(2B203+3Si=4B+3Si02)，生成硼原子，硼原子作为扩散源在高温下向硅片内部扩散，形成PN结。(CN 104250725 A)