Bis(diethylamino)silane BDEAS 双(二乙氨基)硅烷

规格: 99.9%(99.9999%-Si)
CAS: 27804-64-4
产品编号: H91822
MDL: MFCD27804644
品牌: INFI

ALD简介

   原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition,简称ALD)是一种在纳米尺度上进行薄膜沉积的先进技术。通过将物质以单原子形式一层一层的镀在基底表面,拥有优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确控制膜厚等特点。

ALD应用

ALD在能源领域应用

2009年,Miyaska课题组将钙钛矿材料MAPbI3用作燃料敏化太阳能电池的光伏活性层,正式开启了钙钛矿太阳能电池的新纪元。ALD凭借其均匀成膜性、精准控制厚度和保形性等多种优势,在光伏领域中发挥着重要作用。除此之外,ALD技术还可用于锂电池薄膜涂层,提高电池性能

ALD在泛半导体应用

随着泛半导体行业的发展,对微型化和集成化要求越来越高,尺寸缩小至亚微米和纳米量级,ALD作为一种高精度薄膜沉积技术,可用于晶体管栅极电介质层(高K材料)、金属栅电极、有机发光显示器涂层、铜互联扩散阻挡层、DRAM电介质层、微流体和MEMS涂层、传感器等众多领域。

ALD在光学领域应用

由于 ALD 具有的三维共形沉积和大面积均匀性特点,已成功应用于高质量光学薄膜、增透膜、折射率可调的光学薄膜、波状多层膜,改善了光子晶体的光学性质和可控性,增加了光子晶体在未来光学器件中的应用潜力。

 公司致力于ALD高纯半导体薄膜前驱体材料的自主研发和生产,成立以来,已陆续向多家半导体客户提供了百余种前驱体新材料,包括高纯硅基前驱体系列、High-k前驱体系列产品,部分新品已被客户用于5nm以下制程薄膜设备。我们致力为客户提供优质的产品并建立互信、长久的合作关系,产品具有自主知识产权且原材料国产化,打破国外垄断的同时保证供应链的安全。研峰科技愿与国内芯片、高端显示、光伏新能源等高端客户一起携手,解决高端半导体材料的把脖子难题,早日实现进口替代。




Chemical NameBis(Diethylamino)Silane BDEAS
Chemical Name Translation双(二乙氨基)硅烷
MDL NumberMFCD19105220
CAS Number27804-64-4
Restrict 危险品
27804-64-4 H91822 Bis(diethylamino)silane BDEAS
双(二乙氨基)硅烷

化学属性

Mol. FormulaC8H22N2Si
Mol. Weight174.36
Density0.804
Appearance colorless liq.
Stabilityair sensitive, moisture sensitive
Boiling Point70°C (30mm)
Danger-Level-
pH-:-
Redox-

*以上化合物性质及应用等信息仅供参考