ALD前驱体简介
在晶圆上制造芯片需要经过上百个工序，主要的工艺步骤包括光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等往复循环。薄膜沉积工艺中ALD技术即原子层沉积(AtomicLayerDeposition)是精细制程、深沟槽和立体结构中必选的工艺。ALD所需的前驱体多为MO源（金属有机源）产品，一般要求纯度达到99.9999%以上，杂质浓度达ppb级别以内，工艺复杂，需要超高的金属有机合成和高纯度提纯的能力，代表着行业最高科研能力。
ALD在半导体应用
随着泛半导体行业的发展，对微型化和集成化要求越来越高，尺寸缩小至亚微米和纳米量级，ALD作为一种高精度薄膜沉积技术，可用于晶体管栅极电介质层(高K材料)、金属栅电极、有机发光显示器涂层、铜互联扩散阻挡层、DRAM电介质层、微流体和MEMS涂层、传感器等众多领域。
DRAM存储
ALD在能源领域应用
2009年，Miyaska课题组将钙钛矿材料MAPbI3用作燃料敏化太阳能电池的光伏活性层，正式开启了钙钛矿太阳能电池的新纪元。ALD凭借其均匀成膜性、精准控制厚度和保形性等多种优势，在光伏领域中发挥着重要作用。除此之外，ALD技术还可用于锂电池薄膜涂层，提高电池性能。
钙钛矿电池
应用：电子传输层、钝化保护层
优势：低温工艺、均匀成膜性、台阶覆盖率好
作用：阻隔钙钛矿与电极扩散、阻隔空气、传输电子
锂电池
应用：电极涂层
优势：保形性、无孔隙、精准控制厚度
作用：延长锂离子电池寿命、提高产品安全性
ALD在光学领域应用
由于 ALD 具有的三维共形沉积和大面积均匀性特点，已成功应用于高质量光学薄膜、增透膜、折射率可调的光学薄膜、波状多层膜，改善了光子晶体的光学性质和可控性，增加了光子晶体在未来光学器件中的应用潜力。
公司研发生产能力
在半导体领域，公司主要致力于高纯半导体薄膜 （ALD、CVD）前驱体材料的自主研发和生产，成立以来，已陆续向多家半导体客户提供了百余种前驱体新材料，包括高纯硅基前驱体系列、High-k前驱体系列等产品，部分新品已被客户用于5nm以下制程薄膜制备。 公司致力为客户提供优质的产品并建立互信、长久的合作关系，产品具有自主知识产权且原材料国产化，打破国外垄断的同时保证供应链的安全。敦茂新材料愿与国内芯片、高端显示、光伏新能源等高端客户一起携手，解决高端半导体材料的卡脖子难题，早日实现进口替代。
产品索引
前驱体用途索引
| SiN层 | 高介电常数前驱体（High-K） | 低介电常数前驱体（Low-k） | 铜互连层 | 钙钛矿光伏电池 |
|---|---|---|---|---|
| DIS | TDMAH | BDEAS | CCTBA | TDMASn |
| TEMAH | BTBAS | PDMAT | PbI2 | |
| TDMAT | 3DMAS | CpCo(CO)2 | PbBr2 | |
| TDMAZ | Ru(EtCp)2 | |||
| TEMAZ | ||||
| Cp-Zr | ||||
| Cp-Hf |
前驱体元素索引
| 硅 Si | 铪 Hf | 锆 Zr | 钛 Ti | 钴 Co | 钽 Ta | 钌 Ru | 铂 Pt |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DIS | TDMAH | TDMAZ | TDMAT | CCTBA | PDMAT | Ru(EtCp)2 | (MeCp)PtMe3 |
| BDEAS | TEMAH | TEMAZ | TiCl4 | CpCo(CO)2 | |||
| BTBAS | Cp-Hf | Cp-Zr | |||||
| 3DMAS |
